涂膠：首先在硅晶片表面均勻涂覆一層光刻膠。光刻膠是一種對光敏感的化學材料，根據特性可分為正性光刻膠和負性光刻膠。正性光刻膠在曝光后會在顯影劑中發(fā)生降解反應而可溶解，未曝光部分不溶；負性光刻膠則相反，曝光后發(fā)生聚合反應，不溶于顯影液，未曝光部分可溶。 掩模放置：將帶有預定電路圖形的掩模板放置在硅晶片上方。掩模板上有透明和不透明區(qū)域，不透明部分通常由鉻等材料制成，用于阻擋光線，透明部分則允許光線透過。 曝光：利用光源發(fā)出的光（如紫外光、極紫外光等）照射掩模板。光線透過掩模板的透明區(qū)域，經過光學系統(tǒng)（如投影物鏡和照明系統(tǒng)等）聚焦和成像，將掩模板上的圖形投影到硅晶片表面的光刻膠上。在這個過程中，根據光刻機類型不同，光線傳播方式有所差異： 接觸式光刻機：掩模板與涂有光刻膠的硅晶片直接接觸，紫外光透過掩模板將圖形轉移到光刻膠上，這種方式分辨率較高，但容易損壞掩模板和晶片，且易受灰塵等雜質影響，目前已較少使用。 接近式光刻機：掩模板與硅晶片之間存在微小間隙（通常為幾微米），光線穿過掩模板后在光刻膠上成像。由于間隙的存在，會產生衍射效應，限制了分辨率，一般用于較大線寬工藝（3μm 以上）。 投影式光刻機：是目前主流類型，利用光學系統(tǒng)將掩模板上的圖案投影到硅晶片上。光學聚焦系統(tǒng)先將光源發(fā)出的光轉換為平行光，穿過掩模板后，再由第二光學聚焦系統(tǒng)投射到晶圓上。為實現(xiàn)高分辨率，通常只有一小部分掩模圖像被投影，并在晶圓表面掃描，可達到亞微米級分辨率。其中，浸沒式光刻機還會在光學系統(tǒng)與晶圓之間填充折射率大于 1 的浸沒液，如去離子水，以提高數(shù)值孔徑，進一步提升分辨率，可用于制造更小線寬的芯片